SiC，GaN用H2バーナー
Hercules Burner（ハーキュリーズバーナー）
SiCエピ装置およびGaN-MOCVD装置のプロセス排ガス中のH2ガスを燃焼燃料として有効利用した燃焼式排ガス処理装置です。
特長
- 化石燃料を使用しない燃焼方式
- 炭酸ガス排出量を従来比80～90%削減します。
- プロセス排ガス中のH2ガスを有効利用
- 燃焼燃料を大幅に減らせるので、ランニングコストの低減が可能です。
- 燃焼効率の向上による小型化
- 設置面積を従来比60%削減します。
仕様
| シリーズ | 1000 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 冷却方式 | 空冷 | 水空冷 | 水冷 | 空冷 | 水空冷 | 水冷 | |
| 対象装置 | GaN-Epi（LED及びパワーデバイス）、SiC-EPI、その他大量のH2排気 | ||||||
| 最大処理量 (slm) （排気中のベースガス流量） |
1000 | 1000 | 1000 | 4000 | 4000 | 4000 | |
| バーナー搭載数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| 処理ポート数 | 1 | 1 | 1 | 1～4 | 1～4 | 1～4 | |
| 寸法(mm) | |||||||
| W | 1200 | 1600 | 1200 | 2000 | 2000 | 2000 | |
| D | 1100 | 1100 | 1100 | 1200 | 1200 | 1200 | |
| H | 1950※ | 1950※ | 1950※ | 2200※ | 2200※ | 2200※ | |
| メンテナンススペース(mm) | 全周800 | 全周800 | 全周800 | 全周800 | 全周800 | 全周800 | |
※1 バーナー当たりの処理量