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SiC,GaN用H2バーナー

Hercules Burner(ハーキュリーズバーナー)

hercules

SiC-EPI装置およびGaN-MOCVD装置のプロセス中のH2ガスを燃焼燃料として有効利用した燃焼式排ガス処理装置です。


特長

プロセス中のH2ガスを燃料として有効利用 
  →ランニングコストの低減が可能
素早い起動・停止(60秒)
装置からの排出ガスに応じた燃料制御が可能
排気ガスは蒸発潜熱を利用した冷却スプレーで冷却(水空冷式)
燃料に化石燃料を使わないため、CO2排出量を低減

処理対象ガス例

対象プロセス(例) ガス種
SiC-EPI、GaN-EPI  SiH₄、NH₃、H₂、HCl 、C₃H₈、SiHCl₃
※上記は一例となりますので、記載のないガス種につきましてはお問合せ願います

仕様

シリーズ Hercules Burner  
冷却方式 水冷 水空冷
使用燃料 H2 *1
処理流量(slm) 1,000
処理ポート数 1、2、4
寸法(mm) W 1,200 1,500
D 1,200 800
H 2,000 *2 1,950
メンテナンススペース(mm) 正面 800
背面 800
ユーティリティ 電気、排気、筐体排気、DA、N2、給水、排水(水冷のみ)
*1 主にプロセス排ガス中のH2ガスを燃焼燃料として使用します
*2 上部突起物(300mm)含まず。突起物は搬入時に取り外し可能です

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