SiC,GaN用H2バーナー
Hercules Burner(ハーキュリーズバーナー)

SiC-EPI装置およびGaN-MOCVD装置のプロセス中のH2ガスを燃焼燃料として有効利用した燃焼式排ガス処理装置です。
特長
- プロセス中のH2ガスを燃料として有効利用
→ランニングコストの低減が可能
- 素早い起動・停止(60秒)
- 装置からの排出ガスに応じた燃料制御が可能
- 排気ガスは蒸発潜熱を利用した冷却スプレーで冷却(水空冷式)
- 燃料に化石燃料を使わないため、CO2排出量を低減
処理対象ガス例
対象プロセス(例) | ガス種 | |
---|---|---|
SiC-EPI、GaN-EPI | SiH₄、NH₃、H₂、HCl 、C₃H₈、SiHCl₃ |
仕様
シリーズ | Hercules Burner | ||
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冷却方式 | 水冷 | 水空冷 | |
使用燃料 | H2 *1 | ||
処理流量(slm) | 1,000 | ||
処理ポート数 | 1、2、4 | ||
寸法(mm) | W | 1,200 | 1,500 |
D | 1,200 | 800 | |
H | 2,000 *2 | 1,950 | |
メンテナンススペース(mm) | 正面 | 800 | |
背面 | 800 | ||
ユーティリティ | 電気、排気、筐体排気、DA、N2、給水、排水(水冷のみ) |
*2 上部突起物(300mm)含まず。突起物は搬入時に取り外し可能です